Борис, речь не идёт о обоснованности или необходимости - речь идёт о технической возможности. :)
Двоичная система подразумевает два состояния микроэлемента - наличие заряда и отсутствие заряда.
При троичной системе появляется два состояния наличия заряда - положительный потенциал и отрицательный потенциал.
А теперь попробуйте физически представить себе современную микросхему, имеющую миллиарды элементов, где положительные и отрицательные ячейки будут мирно сосуществовать не оказывая друг на друга негативного взаимодействия. :)
Кроме того, что бы чётко позиционировать состояние "минус" или "плюс" - потенциал должен быть явно выше, чем при схеме "есть" или "нет", что приводит к ещё большим проблемам.
В своё время велись очень серьёзные исследования по созданию троичной DRAM - именно с целью увеличения объёма хранения информации, которого, как известно, много не бывает. :)
Опытные образцы были созданы и испытаны.
Да, использование биполярных конденсаторов позволило увеличить емкость в 1,58 раза.
Но для считывания-записи отрицательного сигнала в контроллеры пришлось ввести второй компаратор и общее быстродействие системы оказалось меньше почти в 1,5 раза. И для повышения помехоустойчивости пришлось увеличить размах напряжений на 35-40% - что приводит к необходимости переделки всех элементов и цепей самой памяти и контроллера.
И - как следствие, к дополнительному паразитному тепловыделению, что тоже далеко не айс. :)