Вопрос поставлен тоже нечётко и непонятно, что хотят услышать в ответ. Вопрос относится к стабильности тока коллектора каскада на транзисторе или каскада в импульсном режиме или в режиме усиления сигнала или требуется определить максимальный ток в зависимости от параметров транзистора или от параметров элементов схемы?
Насколько я понимаю вопрос составлен для того, чтобы проверить знания обучаемого, насколько он понимает функционирование транзистора и дальнейшего понимания работы схем с использованием транзисторов. Этот вопрос надо рассматривать на примере проходной и выходной (Ub-Ic и Ic-Uc) характеристик биполярного транзистора. Для этого надо посмотреть datasheet нескольких транзисторов. Также вспомнить формулы коэффициента усиления на биполярном транзисторе. Построить нагрузочную характеристику транзистора на выходной характеристике Ic - Uc и тогда все встанет на свои места.
Факторы.
Первичные:
Ток базы Ib,
коэффициент усиления h21,
Максимально допустимый ток коллектора.
Максимально допустимая рассеиваемая мощность..
температура (зависимость тока базы от температуры при постоянном смещении).
На высокой частоте надо рассмотреть эквивалентную схему транзистора и соответственно понимать что такое граничная частота fгр, (когда на этой частоте коэффициент передачи равен 1) и rэ (внутреннее сопротивление эмиттера) и понять как влияет нестабильность емкостей переходов транзистора на коэффициент передачи. При изменении температуры ёмкость р-n переходов меняется и ток коллектора см., например, формулу передачи каскада с общим эмиттером.
Вторичные:
Зависят от схемы включения транзистора, т.е. схема со стабилизацией тока коллектора или без стабилизации. Без стабилизации протекающий ток разогревает транзистор, повышается температура, ток коллектора увеличивается, что приводит к большему разогреву и увеличению тока коллектора.
От напряжения питания, выбора рабочей точки, резисторов установленных в коллекторе и эмиттере.
Установка дополнительного радиатора для рассеивания тепла.
При изменении напряжения на n-p переходах меняется толщина p-n перехода, поэтому изменяются емкостные параметры транзистора и соответственно на ВЧ изменяется сила тока коллектора.
Например, у мощного транзистора б-э может иметь 1000 ПФ. У маломощного транзистора это 100 ПФ, это влияет на ток коллектора? В низкочастотных схемах не влияет, но с повышением частоты конечно влияет. Уже на 10 кГц заметно влияет. Также заметное влияние эти ёмкости оказывают на фронты прямоугольных импульсов. Для высокочастотных транзисторов надо рассматривать эквивалентную схему и схему включения транзистора.
В общем требуется пониманимание, что хотят услышать в ответ на вопрос, посмотрите свои лекции, может там ясность имеется.