Компания «Гамма» является дистрибьютором компании NETSOL, которая активно развивает направление MRAM (магнитно-резистивная память) – передовая технология в производстве энергонезависимой памяти. За счет высокой скорости работы, значительно большего ресурса циклов записи-стирания, чем у FLASH-памяти, это решение идеально подходит для приложений, в которых необходимо хранить и извлекать данные быстро и часто.
MRAM отлично подходят для хранения кода, регистрации данных, резервной памяти и рабочей памяти в таких применениях, как промышленные системы, системы безопасности, кассовые аппараты и платежные терминалы, медицинское оборудование, системы регистрации и с успехом заменяют традиционную FLASH-память, FeRAM или nvSRAM.
На склад компании «Гамма» поступила широкая линейка образцов памяти MRAM производства NETSOL и теперь доступна для всех желающих.
Основные характеристики:
· Емкость памяти 1Мб, 2Мб, 4Мб, 8Мб, 16Мб, 32Мб
· Питание: 1,8 В (1,71 В ~ 1,98 В) или 3,3 В (2,7 В ~ 3,6 В)
· Одинарный, двойной и четверной SPI с совместимостью с последовательным интерфейсом SDR и DDR
· Сохранение данных: 10 лет
· Количество циклов чтение: неограниченно
· Количество циклов на запись: 1014
· Не требуется внешний ECC
· Стандартные промышленные выводы и корпуса: 8WSON, 8SOP
Применения и преимущества:
· Замена LP SRAM, FRAM, NOR Flash, EEPROM в текущих и будущих одночиповых MCU
· Промышленность, автомобилестроение, авионика и космос (широкий температурный диапазон, низкий коэффициент ошибок, значительно надежнее чем флэш-память)· Системы корпоративного хранения данных (буферы записи, хранение метаданных, индексная память)
· Медицинские системы (быстрая регистрация данных, данные не теряются при отключении питания)
· Системы, требующие мгновенного включения, низкая задержка